Отличная новость: Самсунг начинает массовое производство MRAM

ardelfi — 28.05.2017 Долгожданная новость. До конца 2017 производство STT-MRAM будет запущено на 8нм процессе, а к 2020 будет переведено на 4нм процесс. Прежде по их плану начало производства STT-MRAM было намечено на 2019, но Интел с близкой по качествам фазовой памятью заставил поторопиться.

Что это значит.
1. Наконец-то станет доступной массовая память, не уступающая по качеству хранения (выключенному) жёсткому диску, превосходящая по скорости динамическую память, не имеющая ограничения по циклам перезаписи (как у NAND), устойчивая к радиации (а теперь это важно для всех), и с временем надёжного хранения от 10 лет и более.
2. Руководство Everspin может начинать впадать в отчаяние. Протупить столько лет, сидя на работающей технологии STT-MRAM, не сделать ничего лучше чем $40 за мегабайт, оставаться в убытке, и дождаться наконец конкуренции с Самсунгом -- это путёвка на свалку истории. Ниша какая-то у Everspin останется, но развитие в условиях конкуренции с Самсунг маловероятно.
3. 19 октября 2017, когда HGST перейдёт под полное управление Western Digital согласно контракта о поглощении, не станет началом катастрофы для надёжного хранения информации. MRAM позволяет заменить и жёсткие диски, и NAND, и даже сделать универсальную энергонезависимую надёжную память.

Теперь нужно лишь чтобы Ыню никто не трогал какое-тот время, иначе новая надежда окажется в опасности.

Оставить комментарий

Популярные посты:

• Архив