Пропущенная новость.

lexpartizan — 11.09.2016 Специалистам IBM и Samsung удалось продемонстрировать хорошую масштабируемость памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), уменьшив ее ячейку до 11 нм. Изменение состояния ячейки выполняется всего за 10 нс, а потребляемый при этом ток составляет 7,5 мкА.
Скорость доступа для известных MRAM составляет от 2 до 5 нс. Что вообще-то уже близко к скоростям кэша.

Что это значит? Раньше ячейка MRAM была размером с 180 нм и верхом технологии были гигабитные микросхемы от Everspin. Она отставала по ёмкости от обычной оперативной памяти. Теперь многочисленные проблемы решены и её плотность приблизилась не к оперативке, а к SSD. Террабайт оперативной памяти не желаете?
Итого мы имеем преимущества:
1. Скорость выше, чем у DRAM. Сравнима с SRAM.
2. Ёмкость, как у SSD. Теперь.
3. Энергонезависима, как SSD.
4. Сверхнизкое потребление энергии. Так как память энергонезависима, то при отсутствии операций чтения или записи энергия вообще не потребляется, в отличии от DRAM, требующей постоянной подпитки конденсаторов. Общее потребление примерно 1% от потребляемой памяти DRAM. Идеально для мобильных технологий.
5. Не подвержена деградации, как флэш-память.

К сожалению, до выхода на рынок ей ещё далеко.

Оставить комментарий

Популярные посты:

• Ранее
• Архив