О да, детка!

lexpartizan — 27.06.2017 Компания Sony Semiconductor Solutions рассказала о разработках, относящихся к памяти ReRAM, объединяющей достоинства DRAM и NAND. Разработанные специалистами Sony ключевые технологии, как утверждается, позволят выпускать микросхемы памяти ReRAM высокой плотности.

В памяти, созданной Sony Semiconductor Solutions, используются ионы меди. Конструкция ячейки включает всего один элемент для выборки и один резистивный элемент (структура 1S1R). Это дает возможность изготавливать память в виде простой матрицы пересекающихся линий и компоновать такие матрицы в несколько слоев, наращивая плотность.

Одна из новых разработок — барьер между резервуаром ионов и электролитом, уменьшающий неравномерность сопротивления. За счет него удается увеличить плотность хранения. Вторая технология — легирование элемента выборки бором и углеродом, за счет чего уменьшается ток утечки и увеличивается ресурс.

По оценке Sony Semiconductor Solutions, разработанные технологии позволят выпускать память ReRAM с временем записи 100 нс, ресурсом 10 млн циклов и плотностью около 100 Гбит.

100 нс - это чуть ниже латентности топовой оперативной памяти. Там где-то 70 наносекунд и многое зависит от контроллера памяти.
Ресурс 10 млн циклов - у SSD где-то 5-10 тысяч циклов и ничего, пользуются.
Плотность сто гигабит - это значит, что на одну планку с 8 микросхемами влезет 100 гигабайт. Что уже вполне хватает для системного диска и пары игрушек, учитывая, что всё сейчас обычно хранится онлайн.

Более подробно о ReRam (которую, кстати, можно использовать для аппаратной эмуляции нейронов) я уже писал.

Вот такие новости меня радуют!
А все эти ваши России, Америки, Сирии, коммунизмы, национализмы - это всё фигня))
Хотеть такую память в виде формфакторе DDR4)) Вставил 4 планки по 100 гигабайт и кайфуй))

Оставить комментарий

Популярные посты:

• Ранее
• Архив